三星将于下周展示全球首款 3nm 半导体芯片。据报道，该公司计划于 7 月 25 日星期一举行启动仪式。该公司于 6 月 30 日开始大规模生产先进的半导体。

三星的 3nm 芯片基于 Gate-All-Around (GAA) 晶体管架构。它是一种新的芯片架构，与当前解决方案采用的 FinFET(鳍式场效应晶体管)架构相比，性能和功率得到了改进。它还允许更小的处理器占用空间。

这家韩国公司正在向一家生产加密货币挖掘处理器的中国公司提供其 3nm 解决方案的初始生产运行。但是，由于其相关行业的性质，该公司并未将其视为长期客户。三星将寻求加入一些值得信赖的客户，例如智能手机制造商。

然而，据报道，它正在努力应对其 3nm 芯片的良率。该公司生产的大多数先进芯片都不符合要求的质量。这可以防止它在短时间内生产大量芯片，而这是智能手机制造商通常需要的。这家韩国巨头现在正在努力提高良率(据说 80% 到 90% 是理想的)，同时改进其芯片技术。该公司计划明年初开始生产第二代 3nm 解决方案。这些可能适用于智能手机。

台积电在代工制造领域历来领先三星，也准备在今年晚些时候开始3nm 量产。但该公司将继续使用 FinFET 架构再发展一代。它计划在 2025 年转向使用 2nm 芯片的 GAAFET。

然而，这家台湾公司的芯片技术历来优于三星。它的解决方案通常提供更好的整体性能，并且比韩国公司的竞争解决方案更节能。台积电的芯片在热管理方面也做得更好。因此，三星已经完成了任务，因为它希望缩小与主要竞争对手的差距。

三星尚未为 3nm 芯片倾尽全力

三星正在其位于韩国的华城工厂生产第一批 3nm 芯片。然而，随着公司扩大生产规模，它可能也会让其他工厂也参与进来。也许该公司尚未将其最好的芯片制造设备用于 3nm 解决方案。该公司的平泽工厂拥有最好的芯片设备，而华城校区主要用于制造技术的开发(via)。

一旦三星提高良率，平泽工厂很可能会开始生产 3nm。也许该公司会在这里制造第二代解决方案。时间会证明这家韩国公司能否最终在芯片技术上挑战台积电。