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G2383(2383)

来源:精选知识2024-03-18 15:20:28
导读 您好,今日明帅来为大家解答以上的问题。G2383,2383相信很多小伙伴还不知道,现在让我们一起来看看吧!1、c2383是NPN型硅三极管。2、其耐压...

您好,今日明帅来为大家解答以上的问题。G2383,2383相信很多小伙伴还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1、c2383是NPN型硅三极管。

2、其耐压值为160V,额定工作电流为1A,额定功率为0.9W,工作频率为100MHz。

3、可以用C2482、C2229、C2068、C237C2688等三极管来代替。

4、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

5、对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

6、扩展资料:在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散。

7、但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。

8、由于基区很薄,加上集电结的反偏。

9、注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic。

10、参考资料来源:百度百科-三极管。

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