科学家认为碘化镍 (NiI2) 是一种很有前途的超快内存材料，因为它具有极强的磁电耦合特性，即电场可以影响磁性，反之亦然。这一发现可能带来速度更快、体积更小、更节能的内存设备。除了内存之外，NiI2 还可能应用于量子计算和化学传感器。

德克萨斯大学奥斯汀分校和马克斯普朗克研究所的科学家认为，他们已经找到了超高速微型存储设备的关键成分：碘化镍(NiI2 )。

普通材料可以是磁性材料，也可以是电性材料。多铁性材料基本上兼具了磁性和电性，因此非常适合制造更小、更快的电子产品。

多铁性材料最酷的特性是所谓的“磁电耦合”。在这些材料中，电场可以改变磁性，反之亦然。NiI 2具有迄今为止发现的最强的磁电耦合。这正是 NiI 2可能有助于开发超高速存储设备的原因。忘掉笨重的记忆棒吧，NiI 2可以帮助制造更小更轻的内存。此外，这些新存储设备可能会消耗更少的能量，使其更加环保。

研究人员利用超快激光束“激发”NiI 2材料，然后观察其磁性和电性如何变化——这一切都在飞秒范围内(十亿分之一秒的百万分之一)。他们还进行了复杂的计算，以了解 NiI 2为何具有如此强的耦合效应。

NiI 2在其他领域也可能成为颠覆性技术。它可用于在量子计算机中创建微型连接。它甚至可能有助于构建更好的化学传感器，用于质量控制和药物安全等方面。

研究人员正在努力寻找更多具有与 NiI 2相似特性的材料。此外，科学家们还在探索进一步增强(和利用)NiI 2已经令人印象深刻的功能的方法。他们还试图探索铪的铁电特性，以设计比 NAND 更好、更便宜的内存。