在下一代半导体的重大进步中，一个协作研究团队在二维(2D)半导体领域取得了突破性的发现。他们的研究结果发表在《纳米快报》上，揭示了三重子的产生和控制，为这些材料的光学特性提供了宝贵的见解。

二维半导体因其原子层厚度而具有出色的单位体积光特性和高灵活性而闻名，在先进柔性器件、纳米光子学和太阳能电池等领域具有巨大的应用潜力。

研究团队专注于利用二维半导体的光学特性，特别是电子空穴对的产生和复合过程，来开发发光器件和光学应用。

为了主动控制激子和三重子的相互作用并分析实时发光特性，该团队开发了自己的基于金纳米线的探针增强共振光谱系统。通过将单层MoSe2(一种二维半导体)与金纳米线和探针增强共振光谱系统相结合，研究人员创建了复合结构和强大的分析平台。通过这一点，他们成功地确定了以前不知道的三角形的产生原​​理。

研究人员发现，电荷的多极模式在诱导二维半导体中激子转化为三重子方面发挥着重要作用。借助探针增强共振光谱系统，他们实现了纳米光特性的实时分析，空间分辨率约为10nm，超越了光衍射的极限。这使得我们能够确定三重子产生背后的原理，并开发出对激子-三重子转换的可逆主动控制。

此外，金探针充当天线，将光聚焦在纳米尺寸的区域并产生高能热控管。然后，该过程产生的电子被注入到二维半导体中，进一步增强了对三重子生成的控制。这一突破催生了一种新颖的“纳米主动控制平台”的提出，能够对物质状态进行实时、超高分辨率的控制，超越了传统的测量设备。

该研究的第一作者MinguKang表示：“我们不仅成功地控制了激子和三重子，而且还确定了控制它们与等离激元和热控管相互作用的基本原理。”他进一步补充道：“我们相信我们的研究将为太阳能电池和光电集成电路等利用激子和三重子领域的研究人员带来重大突破。”

该研究团队由浦项科技大学物理系Kyoung-DuckPark教授和MinguKang教授、UNIST化学系YongDougSuh教授(兼任IBS多维碳材料中心副主任)领导。(CMCM)和忠北国立大学物理系的HyunSeokLee教授。