碳化硅(SiC)已成为高端电子领域的关键材料，尤其适用于需要高热导率、高硬度和强化学稳定性的应用。其应用范围包括电力电子、高温半导体和尖端设备。

然而，SiC基板的加工面临着巨大的挑战，包括需要采用精密研磨方法，以最大限度地降低表面粗糙度和表面下损伤，同时控制高加工成本。这些挑战促使人们不断研究改进研磨技术，并了解SiC加工中涉及的原子级损伤机制。

尽管对SiC加工的研究很多，但对最新进展及其对提高制造效率的影响的全面了解仍然零散。最近的努力主要集中在通过研究新的加工方法和材料来解决这些差距，以更好地控制SiC晶片的表面和次表面特性。

近日，大连理工大学高尚教授团队发表综述论文，全面概述了SiC加工的最新进展，系统回顾了SiC晶圆的当前加工流程、材料去除机制和加工技术，并为SiC晶圆加工的未来发展方向提供了指导。

“这篇综述对SiC加工的最新方法进行了全面分析，并确定了需要进一步研究的关键领域，”通讯作者ShangGao说道。“通过整合现有知识并概述未来的研究方向，这项工作旨在指导开发更高效、更有效的SiC晶圆加工技术。”

本文涵盖了SiC加工的各个方面，包括该领域采用的不同研磨、研磨和抛光技术。它深入探讨了材料去除的机制，并重点介绍了最新的技术进步。本文还讨论了实现高质量SiC晶圆所面临的挑战，并提出了几种克服这些障碍的创新方法。

通过全面的分析，该评论确定了需要进一步研究的关键领域，为未来的研究工作提供了路线图。

“这篇综合评论为该领域的研究人员和从业者提供了宝贵的资源，详细了解了SiC加工的现状，并强调了需要进一步研究的关键领域，”ShangGao补充道。“我们的工作旨在突破目前已知的界限，并促进该领域的进一步发展。”