场效应管（Field Effect Transistor, FET）是一种利用电压控制电流的半导体器件，广泛应用于放大电路和开关电路中。正确地测量场效应管的参数对于确保电路的正常工作至关重要。下面将介绍几种常用的场效应管测量方法。

1. 测量阈值电压（Vth）

阈值电压是场效应管开始导通所需的栅源电压（Vgs）。测量方法如下：

- 将万用表调至电压档。

- 连接场效应管的漏极（D）和源极（S）到电源。

- 使用万用表测量栅极（G）与源极（S）之间的电压，并逐渐增加电压。

- 当漏极电流（Id）开始明显增加时，此时的栅源电压即为阈值电压（Vth）。

2. 测量饱和区电流（Idsat）

饱和区电流是在栅源电压大于阈值电压时，漏极电流达到最大值的情况下的电流。测量步骤如下：

- 确保栅源电压（Vgs）超过阈值电压（Vth）。

- 调节漏源电压（Vds），使其略高于栅源电压（Vgs）- 阈值电压（Vth）。

- 使用电流表测量漏极电流（Ids）。

3. 测量跨导（gm）

跨导表示栅源电压变化对漏极电流的影响程度，是衡量场效应管放大能力的重要指标。测量方法如下：

- 在固定栅源电压（Vgs）下，改变漏源电压（Vds），并记录对应的漏极电流（Ids）。

- 计算不同Vds下漏极电流的变化率，该变化率即为跨导（gm）。

4. 测量输出特性

输出特性曲线可以展示漏极电流（Ids）随漏源电压（Vds）变化的关系，对于理解场效应管的工作状态非常重要。测量步骤包括：

- 固定栅源电压（Vgs），从低到高逐渐增加漏源电压（Vds）。

- 测量每个Vds值下的漏极电流（Ids）。

- 绘制漏极电流（Ids）与漏源电压（Vds）的关系图。

通过上述方法，我们可以全面了解场效应管的工作性能和特性，从而在实际应用中更好地使用它们。需要注意的是，在进行这些测量时，应确保所有操作都在安全条件下进行，避免损坏设备或造成人身伤害。