三星希望在DRAM标准方面表现出色，该公司正在准备“3DDRAM”，旨在堆叠更高的单元层以大幅提升容量。

由于DRAM行业迫切需要创新，这家韩国巨头以其新概念介入，以吸引消费者和客户的兴趣。在韩国首尔举行的国际内存研讨会(IMW)2024活动上，三星电子副总裁LeeSi-woo展示了全新3DDRAM技术，声称随着市场快速增长，尤其是AI领域，对先进DRAM技术的需求变得比以往任何时候都更加重要。

相关报道三星电子展示颠覆性的下一代3DDRAM技术，计划于2025年以后推出

超大规模人工智能和按需人工智能等工业发展需要大量的内存处理能力。另一方面，现有DRAM的微处理技术有限。随着我们越来越接近，新的创新预计会出现在细胞(存储数据的单位)的结构中。

三星在3DDRAM架构上进行扩展，据称三星已通过DRAM集成度和性能两方面大幅缩小了单元面积，从而实现大幅提升。

这家韩国巨头已经实施了一种著名的单元结构，称为“4FSquare”，但DRAM晶体管是垂直安装的，这被称为VCT(垂直通道晶体管)技术。通过结合4FSquare和VCT来改变单元结构，三星的目标是堆叠尽可能多的单元层，而随着16层的目标实现，该公司很可能会看到巨大的内存容量和性能提升。

由于人工智能炒作和消费者需求，DRAM市场出现了潜在的经济好转，我们很高兴看到市场上出现这样的发展，因为它不仅会带来创新，还会增加市场竞争，最终有利于普通消费者。不过，3DDRAM目前还只是一个概念，三星自己也表示，该标准涉及复杂的制造技术，导致生产价格较高。