摩根士丹利称，预计全球内存市场将在明年出现“供应冲击”，并表示人工智能驱动的需求将带来大规模发展。

受人工智能推动的需求推动，消费者和客户端内存市场将见证经济转型

看起来，内存行业终于看到了它长期以来一直在寻找的经济反弹，因为分析师预计市场将因人工智能炒作而经历“淘金热”。摩根士丹利的一份新报告指出，HBM市场预计将出现11%的供应短缺率，而DRAM行业的短缺率将达到-23%。造成这种短缺的主要催化剂是由于大量采用人工智能加速器而产生的大量HBM需求，而HBM内存是其主要组件之一。

此外，摩根士丹利报告称，随着需求增加，内存商品的价格将飙升，该公司表示，预计存储产品每个季度的百分比将达到两位数，而HBM价格将快速上涨。报告称，内存行业将迎来“超级周期”，对于三星和SK海力士等已经建立稳固地位的公司来说，财务收益仍将令人鼓舞。

到2025年，HBM市场价格将上涨10%，因为明年需求将翻倍1

这里需要注意的一个重要因素是，该报告还表明，该行业可能无法满足未来几年的预期需求，而HBM将在未来市场中发挥至关重要的作用，因为它在人工智能行业中的重要性。摩根士丹利上调了SK海力士和三星的目标价，声称这些公司将受益于即将到来的超级周期。

在过去几个季度经历的所有不确定性中，内存市场终于出现反弹，这是令人欣喜的，当然，人工智能的炒作也拯救了这一特定领域。