据报道，谷歌的TensorG5已成功流片。这款3纳米将采用谷歌的完全内部设计，并由台积电制造。

虽然即将推出的Pixel9、Pixel9Pro和Pixel9ProXL将坚持使用基于Exynos的TensorG4SoC(采用三星代工厂的4纳米节点制造)，但据传其继任者(TensorG5，暂定)将有根本不同。

首先，谷歌据称是从头开始设计该，并利用台积电的尖端节点，而不是三星代工厂。新闻媒体Ctee.com报道称，TensorG5已成功流片。

这意味着谷歌已基本完成TensorG5的设计，并准备进入下一阶段的开发，最终于明年投入量产。报道称，该采用台积电“最新”工艺技术制造，但未具体说明具体节点。

它可能是N3E或N3P，但可能是前者。尽管如此，它还是比上一代Tensor有了很大的进步，上一代Tensor因性能和散热不佳而臭名昭著。从本质上讲，TensorG5最终将能够与高通、联发科、三星甚至苹果的高端SoC相媲美。

尽管如此，TensorG5与骁龙XElite非常相似，在发布时可能会遇到一些初期问题。这可以解释为什么它提前流片，因为它给了谷歌一年的时间来解决Pixel10系列上市前出现的问题。